收藏本站
NTLUD3191PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
225
200
175
150
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
3
V DS
Q T
V GS
12
10
8
125
6
100
75
2
Q GS
Q GD
4
I D = ? 1.5 A
50
25
0
0
C oss
C rss
4
8
12
16
20
1
0
0
0.25 0.5 0.75
1
1.25 1.5 1.75
V GS = ? 10 V
T J = 25 ° C
2 2.25 2.5
2
0
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
t d(off)
t f
10
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.5 A
t r
1.0
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
t d(on)
10
1
10
100
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4
0.85
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
175
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.80
0.75
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
I D = ? 250 m A
150
125
100
75
50
25
0.35
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
0
150 0.0000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01
0.1
1
10
100 1000
T J , TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTLUD3A260PZTBG POWER MOSFET 20V 2A 200 M UDFN6
NTLUF4189NZTAG MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
NTLUS3192PZTBG MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
NTLUS3A18PZTBG MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
NTLUS3A39PZTBG MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN
NTLUS3A40PZTBG T4 20/8 PCH 2X2 UDFN SING
NTLUS3A90PZTBG POWER MOSFET 20V 3A 60 MO UDFN6
NTLUS4195PZTBG MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
相关代理商/技术参数
NTLUD3191PZTBG 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 20V 1.7A 250mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLUD3A260PZ 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET a??20 V, a??2.1 A,Cool Dual Pa??Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package
NTLUD3A260PZTAG 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
NTLUD3A260PZTBG 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
NTLUD3A50PZ 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??20 V, a??5.6 A, Cool Dual Pa??Channel, 2.0x2.0x0.55 mm UDFN Package
NTLUD3A50PZTAG 功能描述:MOSFET PFET UDFN 20V 5.6A 50MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLUD3A50PZTBG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET UDFN 20V 5.6A 50MOHM - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PFET UDFN 20V 5.6A 50MOHM
NTLUF4189NZ 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, N−Channel with 0.5 A Schottky Barrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mm Cool Package